Ferroelectric Memory GmbH

Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC) entwickelt und vermarktet innovative Lösungen für disruptive, nichtflüchtige Speicher, insbesondere für Embedded-Speicher in Mikrocontrollern und Systems-on-a-Chip (SoC) und löst damit eine der wichtigsten Hardware-Herausforderungen im Zeitalter des IoT.

Denn zum einen werden – getrieben vom globalen Trend zur Digitalisierung, Automatisierung und Vernetzung – Milliarden von Geräten mit einer zunehmenden Anzahl von Mikrocontrollern ausgestattet. Zum anderen werden an diese Speicher zunehmend höhere Anforderungen bezüglich der Skalierbarkeit, Anzahl von Schreibzyklen und Dauer der Datenhaltung auch bei extremen Umgebungsbedingungen gestellt.

Die patentgeschützte Ferroelectric Field Effect Transistor (FeFET) Technologie nutzt die ferroelektrische Eigenschaft von Hafniumoxid (HfO2), mit der CMOS-Logik-Transistoren in effiziente nichtflüchtige Speichereinheiten umgewandelt werden können. Dabei können FeFETs ohne wesentliche Änderungen oder Investitionen in bestehende Produktionslinien integriert werden, da Hafniumoxid als Isolatormaterial bereits Standard der Industrie ist. Im Vergleich zum aktuellen Industriestandard, der eFlash-Technologie, ist der Herstellungsprozess wesentlich einfacher, sodass die Produktionskosten drastisch reduziert werden können.

Weitere Informationen finden Sie unter: www.ferroelectric-memory.com

 

 

 

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